يشترى IXFT12N100F مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.5V @ 4mA |
---|---|
فغس (ماكس): | ±20V |
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 (IXFT) |
سلسلة: | HiPerRF™ |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.05 Ohm @ 6A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 300W (Tc) |
حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | IXFT12N100F |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2700pF @ 25V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 77nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 1000V (1kV) 12A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT) |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1000V (1kV) |
وصف: | MOSFET N-CH 1KV 12A TO268 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
Email: | [email protected] |