IXFT15N100Q3
IXFT15N100Q3
رقم القطعة:
IXFT15N100Q3
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19099 Pieces
ورقة البيانات:
IXFT15N100Q3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFT15N100Q3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFT15N100Q3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFT15N100Q3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:6.5V @ 4mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-268
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.05 Ohm @ 7.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):690W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFT15N100Q3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3250pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:64nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1000V (1kV) 15A (Tc) 690W (Tc) Surface Mount TO-268
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1000V (1kV)
وصف:MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات