IXFT13N100
IXFT13N100
رقم القطعة:
IXFT13N100
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12530 Pieces
ورقة البيانات:
IXFT13N100.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFT13N100 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFT13N100 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFT13N100 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 4mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-268
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:900 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):300W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
اسماء اخرى:Q2093962
درجة حرارة التشغيل:-
تصاعد نوع:Surface Mount
الصانع الجزء رقم:IXFT13N100
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:155nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1000V (1kV) 12.5A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1000V (1kV)
وصف:MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:12.5A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات