يشترى IXFT150N20T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFT150N20T
- رقم القطعة:
- IXFT150N20T
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 150A TO-268
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13939 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFT150N20T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFT150N20T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFT150N20T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 4mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | HiPerFET™, TrenchT2™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 15 mOhm @ 75A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 890W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFT150N20T |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 11700pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 177nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 150A (Tc) 890W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 150A TO-268 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 150A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFT150N20T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFT15N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT16N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 16A TO268 | تحقيق |
|
IXFT10N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 | تحقيق |
 |
IXFT18N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 18A TO268 | تحقيق |
|
IXFT14N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 14A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT14N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268 | تحقيق |
 |
IXFT12N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 | تحقيق |
|
IXFT15N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 15A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT120N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT12N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT15N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT140N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT17N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3) | تحقيق |
|
IXFT13N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT18N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT12N90Q | IXYS | MOSFET N-CH 900V 12A TO-268 | تحقيق |
 |
IXFT12N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 12A TO268 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog