IXTA3N120TRL
IXTA3N120TRL
رقم القطعة:
IXTA3N120TRL
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13928 Pieces
ورقة البيانات:
IXTA3N120TRL.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA3N120TRL ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA3N120TRL عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTA3N120TRL مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-263 (IXTA)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):200W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:IXTA3N120 TRL
IXTA3N120TR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTA3N120TRL
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1350pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:42nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1200V (1.2kV) 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1200V (1.2kV)
وصف:MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات