يشترى IXTA3N110 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTA3N110
- رقم القطعة:
- IXTA3N110
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17098 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTA3N110.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA3N110 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA3N110 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 (IXTA) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4 Ohm @ 1.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 150W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTA3N110 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1350pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 42nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1100V (1.1kV) 3A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1100V (1.1kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTA3N110
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTA3N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 3A D2PAK | تحقيق |
|
IXTA3N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263 | تحقيق |
 |
IXTA3N120HV | IXYS | MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263 | تحقيق |
|
IXTA3N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA3N120TRL | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA32P05T | IXYS | MOSFET P-CH 50V 32A TO-263 | تحقيق |
 |
IXTA300N04T2-7 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 300A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA36P15P | IXYS | MOSFET P-CH 150V 36A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA3N150HV | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 3A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA3N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK | تحقيق |
|
IXTA32P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 32A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA32N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 32A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA340N04T4-7 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 340A | تحقيق |
|
IXTA38N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 38A TO-263 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog