يشترى IXTA4N150HV مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTA4N150HV
- رقم القطعة:
- IXTA4N150HV
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- خالية من الرصاص عن طريق الإعفاء / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14143 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTA4N150HV.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA4N150HV ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA4N150HV عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6 Ohm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 280W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTA4N150HV |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1576pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 44.5nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1500V (1.5kV) 4A (Tc) 280W (Tc) Surface Mount TO-263 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1500V (1.5kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTA4N150HV
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTA460P2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 24A TO-263 | تحقيق |
 |
VN0300L-G-P002 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3 | تحقيق |
 |
IRF7704 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP | تحقيق |
|
IXTA48N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 48A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA44P15T | IXYS | MOSFET P-CH 150V 44A TO-263 | تحقيق |
 |
IPD90N03S4L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | تحقيق |
|
IXTA44P15TTRL | IXYS | MOSFET P-CH 150V 44A TO-263 | تحقيق |
 |
SI4840BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC | تحقيق |
|
IXTA44N30T | IXYS | MOSFET N-CH 300V 44A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA48P05T | IXYS | MOSFET P-CH 50V 48A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA4N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 4A D2-PAK | تحقيق |
 |
NVMFS5C423NLT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 126A SO8FL | تحقيق |
 |
IPA60R125C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP | تحقيق |
 |
BUK9Y21-40E,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V LFPAK | تحقيق |
|
IXTA4N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-263 | تحقيق |
|
IPA65R400CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO220-3 | تحقيق |
|
IXTA4N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA44N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 44A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA42N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 42A TO-263 | تحقيق |
|
IPA60R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog