العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTA48P05T
IXTA48P05T
IXTA48P05T
رقم القطعة:
IXTA48P05T
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET P-CH 50V 48A TO-263
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17036 Pieces
ورقة البيانات:
IXTA48P05T.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA48P05T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA48P05T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTA48P05T مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-263 (IXTA)
سلسلة:TrenchP™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:30 mOhm @ 24A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):150W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTA48P05T
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3660pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:53nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 50V 48A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):50V
وصف:MOSFET P-CH 50V 48A TO-263
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:48A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTA48P05T

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
FQPF34N20L Image FQPF34N20L Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 17.5A TO-220F تحقيق
BUK9511-55A,127 Image BUK9511-55A,127 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB تحقيق
IXTA460P2 Image IXTA460P2 IXYS MOSFET N-CH 500V 24A TO-263 تحقيق
IXFP7N100P Image IXFP7N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 7A TO-220 تحقيق
IXTA4N60P Image IXTA4N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 4A D2-PAK تحقيق
IXTA44N25T Image IXTA44N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 44A TO-263 تحقيق
IXTA4N80P Image IXTA4N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263 تحقيق
IXTA4N150HV Image IXTA4N150HV IXYS MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263 تحقيق
IXTA44P15TTRL Image IXTA44P15TTRL IXYS MOSFET P-CH 150V 44A TO-263 تحقيق
AUIRL1404S Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK تحقيق
IXTA48N20T Image IXTA48N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 48A TO-263 تحقيق
IRF6618 Image IRF6618 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET تحقيق
IXTA42N25P Image IXTA42N25P IXYS MOSFET N-CH 250V 42A TO-263 تحقيق
IXTA4N65X2 Image IXTA4N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-263 تحقيق
TK7S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 100V 7A DPAK تحقيق
AUIRLL2705 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223 تحقيق
STF9NK80Z Image STF9NK80Z STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 7.5A TO-220FP تحقيق
IXTA44N30T Image IXTA44N30T IXYS MOSFET N-CH 300V 44A TO-263 تحقيق
IXTA44P15T Image IXTA44P15T IXYS MOSFET P-CH 150V 44A TO-263 تحقيق

Latest الأخبار