IXTA4N65X2
IXTA4N65X2
رقم القطعة:
IXTA4N65X2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-263
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12176 Pieces
ورقة البيانات:
IXTA4N65X2.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA4N65X2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA4N65X2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTA4N65X2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-263
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:850 mOhm @ 2A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):80W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTA4N65X2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:455pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:8.3nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 650V 4A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-263
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):650V
وصف:MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-263
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات