يشترى IXTA50N25T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTA50N25T
- رقم القطعة:
- IXTA50N25T
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 250V 50A TO-263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16571 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTA50N25T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA50N25T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA50N25T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 (IXTA) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 50 mOhm @ 25A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 400W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTA50N25T |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4000pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 78nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 250V 50A (Tc) 400W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 250V |
| وصف: | MOSFET N-CH 250V 50A TO-263 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTA50N25T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CSD18535KCS | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3 | تحقيق |
 |
IXTA5N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 4.8A D2PAK | تحقيق |
 |
STB80NE03L-06T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | تحقيق |
 |
SIHP5N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB | تحقيق |
|
IXTA54N30T | IXYS | MOSFET N-CH 300V 54A TO-263 | تحقيق |
 |
IPP80N03S4L04AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 | تحقيق |
 |
MCH6437-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 7A MCPH6 | تحقيق |
 |
IRF7241PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC | تحقيق |
|
IXTA52P10P | IXYS | MOSFET P-CH 100V 52A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA56N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 56A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA50N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 50A TO-263 | تحقيق |
 |
NTD4909N-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK | تحقيق |
 |
IRFR4105ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK | تحقيق |
 |
STB6N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK | تحقيق |
 |
DKI06108 | Sanken | MOSFET N-CH 60V 47A TO-252 | تحقيق |
|
IRFR12N25DCPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 14A DPAK | تحقيق |
 |
RQ3E150BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8 | تحقيق |
|
IXTA5N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 5A D2-PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog