يشترى IXTA5N60P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTA5N60P
- رقم القطعة:
- IXTA5N60P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 5A D2-PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15784 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTA5N60P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA5N60P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA5N60P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.5V @ 50µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 (IXTA) |
| سلسلة: | PolarHV™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.7 Ohm @ 2.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 100W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXTA5N60P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 750pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 14.2nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 5A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 5A D2-PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTA5N60P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CEDM7002AE TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET NCH 60V 0.3A SOT883 | تحقيق |
 |
PHB101NQ04T,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
MVMBF0201NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23-3 | تحقيق |
 |
IRF9540NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 23A TO262-3 | تحقيق |
 |
IXTA54N30T | IXYS | MOSFET N-CH 300V 54A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA50N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 50A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA52P10P | IXYS | MOSFET P-CH 100V 52A TO-263 | تحقيق |
 |
GP2M005A060PGH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK | تحقيق |
|
IXTA56N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 56A TO-263 | تحقيق |
 |
NTMFS4744NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7A SO-8FL | تحقيق |
 |
IPA80R1K4CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V TO-220-3 | تحقيق |
 |
IRL7833S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK | تحقيق |
|
IXTA50N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 50A TO-263 | تحقيق |
 |
IRFHM4226TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 25V 28A PQFN | تحقيق |
 |
IXFH14N85X | IXYS | MOSFET N-CH 850V 14A TO247-3 | تحقيق |
|
IPB80N06S3-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | تحقيق |
 |
NP88N075MUE-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 75V 88A TO-220 | تحقيق |
 |
IXFK90N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA | تحقيق |
|
IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | تحقيق |
|
IXTA5N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 4.8A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog