يشترى IXTA80N075L2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTA80N075L2
- رقم القطعة:
- IXTA80N075L2
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 75V 80A TO-263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- خالية من الرصاص عن طريق الإعفاء / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15024 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTA80N075L2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA80N075L2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA80N075L2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263AA |
| سلسلة: | Linear L2™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 24 mOhm @ 40A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 357W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTA80N075L2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3600pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 103nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 75V 80A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount TO-263AA |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 75V |
| وصف: | MOSFET N-CH 75V 80A TO-263 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTA80N075L2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTA86N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 86A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA80N12T2 | IXYS | MOSFET N-CH 120V 80A TO-263 | تحقيق |
 |
IRFS4010TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | تحقيق |
 |
STL100N6LF6 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6 | تحقيق |
 |
IRFR2905ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | تحقيق |
 |
APT30F60J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227 | تحقيق |
|
IXTA8PN50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK | تحقيق |
 |
BUK763R9-60E,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK | تحقيق |
|
IXTA8N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-263 | تحقيق |
|
IXTA80N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263 | تحقيق |
 |
NTMS4939NR2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC | تحقيق |
|
IXTA8N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK | تحقيق |
 |
IXTA80N10T7 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7 | تحقيق |
|
IXTA88N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 88A TO-263 | تحقيق |
 |
SSM6J503NU,LF(T | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A | تحقيق |
 |
MTM131270BBF | Panasonic Electronic Components | MOSFET P-CH 20V 2A SOT23 | تحقيق |
|
IXTA88N085T7 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog