العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTA8N50P
IXTA8N50P
IXTA8N50P
رقم القطعة:
IXTA8N50P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14752 Pieces
ورقة البيانات:
IXTA8N50P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA8N50P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA8N50P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTA8N50P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5.5V @ 100µA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-263 (IXTA)
سلسلة:PolarHV™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:800 mOhm @ 4A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):150W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:4 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTA8N50P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1050pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:20nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 500V 8A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف:MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTA8N50P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTA86N20T Image IXTA86N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 86A TO-263 تحقيق
STP12N65M5 Image STP12N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220 تحقيق
IXTA88N085T7 Image IXTA88N085T7 IXYS MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7 تحقيق
NTP85N03 Image NTP85N03 ON Semiconductor MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB تحقيق
DMNH10H028SK3-13 Image DMNH10H028SK3-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 55A TO252 تحقيق
IXTA80N075L2 Image IXTA80N075L2 IXYS MOSFET N-CH 75V 80A TO-263 تحقيق
IXFA10N60P Image IXFA10N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK تحقيق
CSD17311Q5 Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 100A 8SON تحقيق
AOW292 Image AOW292 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET NCH 100V 105A TO262 تحقيق
IRF1010NSTRL Image IRF1010NSTRL Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK تحقيق
IXTA8N65X2 Image IXTA8N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-263 تحقيق
NTD80N02-1G Image NTD80N02-1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 24V 80A IPAK تحقيق
APT25SM120B Microsemi Corporation POWER MOSFET - SIC تحقيق
IXTA80N12T2 Image IXTA80N12T2 IXYS MOSFET N-CH 120V 80A TO-263 تحقيق
IXTA80N10T7 Image IXTA80N10T7 IXYS MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7 تحقيق
IXTA88N085T Image IXTA88N085T IXYS MOSFET N-CH 85V 88A TO-263 تحقيق
IXTA8PN50P Image IXTA8PN50P IXYS MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK تحقيق
IRF640STRLPBF Image IRF640STRLPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK تحقيق
NTMFS4926NT1G Image NTMFS4926NT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 9A SO-8FL تحقيق
IXTA80N10T Image IXTA80N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 80A TO-263 تحقيق

Latest الأخبار