العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTN120P20T
IXTN120P20T
IXTN120P20T
رقم القطعة:
IXTN120P20T
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14413 Pieces
ورقة البيانات:
IXTN120P20T.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTN120P20T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTN120P20T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTN120P20T مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227B
سلسلة:TrenchP™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:30 mOhm @ 60A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):830W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IXTN120P20T
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:73000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:740nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 200V 106A 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):200V
وصف:MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:106A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTN120P20T

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
TPC8132,LQ(S Image TPC8132,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP تحقيق
IRF3515L Image IRF3515L Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 41A TO-262 تحقيق
IXTN120N25 Image IXTN120N25 IXYS MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 تحقيق
IXTN17N120L Image IXTN17N120L IXYS MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B تحقيق
NTD18N06-001 Image NTD18N06-001 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 18A IPAK تحقيق
IRFC4410ZEB Infineon Technologies MOSFET N-CH WAFER تحقيق
BSS306N H6327 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23 تحقيق
IRFZ48R Image IRFZ48R Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB تحقيق
IXTN110N20L2 Image IXTN110N20L2 IXYS MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227 تحقيق
IRFP150MPBF Image IRFP150MPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC تحقيق
IRFS7430TRL7PP Image IRFS7430TRL7PP Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK تحقيق
IXTN102N65X2 Image IXTN102N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227 تحقيق
APTM50SKM35TG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 99A SP4 تحقيق
IXTN170P10P Image IXTN170P10P IXYS MOSFET P-CH 100V 170A SOT227 تحقيق
BUK98150-55A/CUF Image BUK98150-55A/CUF Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 تحقيق
NTB5605P Image NTB5605P ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK تحقيق
NTTFS4C08NTWG Image NTTFS4C08NTWG ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 52A U8FL تحقيق
IRF6644TRPBF Image IRF6644TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET تحقيق

Latest الأخبار