يشترى IXTN17N120L مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTN17N120L
- رقم القطعة:
- IXTN17N120L
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17863 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTN17N120L.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTN17N120L ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTN17N120L عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227B |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 900 mOhm @ 8.5A, 20V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 540W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTN17N120L |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 8300pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 155nC @ 15V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1200V (1.2kV) 15A 540W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 15A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTN17N120L
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NIF9N05CLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 | تحقيق |
 |
AOB190A60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600B TO-263 | تحقيق |
 |
IXTN170P10P | IXYS | MOSFET P-CH 100V 170A SOT227 | تحقيق |
 |
IXFX90N30 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 90A PLUS247 | تحقيق |
 |
MCP87130T-U/MF | Microchip Technology | MOSFET N-CH 25V 8PDFN | تحقيق |
|
IXTN110N20L2 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227 | تحقيق |
 |
APTM100SKM90G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 | تحقيق |
|
IXTN120P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227 | تحقيق |
|
IXTN120N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 | تحقيق |
 |
IPB031N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V TO263-3 | تحقيق |
 |
FCH067N65S3_F155 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 44A TO247 | تحقيق |
 |
STF8NK100Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP | تحقيق |
 |
BUK7C5R4-100EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 147A D2PAK-7 | تحقيق |
 |
IXTN102N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227 | تحقيق |
 |
IRF4104LPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 75A TO-262 | تحقيق |
 |
ZXMN2A14FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3 | تحقيق |
 |
NTTFS4823NTWG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN | تحقيق |
 |
CSD25211W1015 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA | تحقيق |
|
DMN6075S-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers