يشترى IXTN170P10P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTN170P10P
- رقم القطعة:
- IXTN170P10P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET P-CH 100V 170A SOT227
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15959 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTN170P10P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTN170P10P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTN170P10P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227B |
| سلسلة: | PolarP™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 12 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 890W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTN170P10P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 12600pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 240nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 100V 170A 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET P-CH 100V 170A SOT227 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 170A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTN170P10P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FQAF70N15 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 44A TO-3PF | تحقيق |
 |
SI4401DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IXTA1N170DHV | IXYS | MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263 | تحقيق |
 |
IXFH9N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 9A TO-247 | تحقيق |
 |
BUK9M24-60EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK | تحقيق |
 |
IXTN110N20L2 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227 | تحقيق |
 |
NDDP010N25AZT4H | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 10A TP-FA | تحقيق |
 |
IPP100N04S303AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 | تحقيق |
 |
AOB270L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 75V 140A TO263 | تحقيق |
 |
STW18NK60Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 | تحقيق |
 |
STB7ANM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V DPAK | تحقيق |
|
IXTN17N120L | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B | تحقيق |
 |
5LP01SS-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP | تحقيق |
 |
IRFTS9342TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP | تحقيق |
|
IXTN120N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 | تحقيق |
 |
IXTN102N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227 | تحقيق |
 |
FDS6162N7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRF630NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | تحقيق |
|
IXTN120P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog