يشترى IXTU01N100 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTU01N100
- رقم القطعة:
- IXTU01N100
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15719 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTU01N100.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTU01N100 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTU01N100 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 25µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-251 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 80 Ohm @ 100mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 25W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| اسماء اخرى: | Q1225942 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTU01N100 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 54pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6.9nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1000V (1kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 100mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTU01N100
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTU01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 | تحقيق |
 |
IRFP32N50K | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AC | تحقيق |
|
IXTU05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251 | تحقيق |
|
IXTU05N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251 | تحقيق |
 |
2SK4126 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 15A TO-3PB | تحقيق |
|
SPU02N60C3BKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK | تحقيق |
|
IXTU08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251 | تحقيق |
|
IXTU01N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251 | تحقيق |
 |
SI4487DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC | تحقيق |
|
IXTU06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251 | تحقيق |
 |
2SK3043 | Panasonic Electronic Components | MOSFET N-CH 450V 5A TO-220D | تحقيق |
 |
BSZ120P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | تحقيق |
 |
ZVP3306FTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3 | تحقيق |
 |
IPI80N06S4L07AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 | تحقيق |
 |
AO3418 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23 | تحقيق |
|
IXTU02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers