يشترى IXTU01N80 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTU01N80
- رقم القطعة:
- IXTU01N80
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12147 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTU01N80.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTU01N80 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTU01N80 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 25µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-251 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 50 Ohm @ 100mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 25W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXTU01N80 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 60pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 8nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 800V 100mA (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 800V |
| وصف: | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 100mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTU01N80
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTU02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251 | تحقيق |
|
IXTU01N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK | تحقيق |
|
IXTU05N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251 | تحقيق |
 |
FQA10N80C_F109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P | تحقيق |
|
IXTU08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251 | تحقيق |
 |
NTB27N06LT4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK-3 | تحقيق |
 |
BSP171PE6327T | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | تحقيق |
 |
APTML20UM18R010T1AG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 109A SP1 | تحقيق |
 |
IRF830STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK | تحقيق |
|
IXTU01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 | تحقيق |
 |
SI7411DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8 | تحقيق |
 |
IRLU3714Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 37A I-PAK | تحقيق |
 |
IRFD9014 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP | تحقيق |
|
IXTU06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251 | تحقيق |
 |
RSQ035N03TR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6 | تحقيق |
|
IRFD024 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP | تحقيق |
|
IXTU05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251 | تحقيق |
|
JANTX2N6770 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH TO-204AE TO-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog