العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTX170P10P
IXTX170P10P
IXTX170P10P
رقم القطعة:
IXTX170P10P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16591 Pieces
ورقة البيانات:
IXTX170P10P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTX170P10P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTX170P10P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTX170P10P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 1mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PLUS247™-3
سلسلة:PolarP™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:12 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):890W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTX170P10P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:12600pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:240nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 100V 170A (Tc) 890W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:170A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTX170P10P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
SI1402DH-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363 تحقيق
2SK2803 Image 2SK2803 Sanken MOSFET N-CH 450V TO-220F تحقيق
IXTX110N20L2 Image IXTX110N20L2 IXYS MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247 تحقيق
FQP47P06 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 47A TO-220 تحقيق
BUK7628-55A,118 Image BUK7628-55A,118 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 55V 42A D2PAK تحقيق
IXTK180N15 Image IXTK180N15 IXYS MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 تحقيق
IXTX1R4N450HV Image IXTX1R4N450HV IXYS 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR تحقيق
TK14C65W,S1Q Image TK14C65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK تحقيق
HUF75831SK8T Image HUF75831SK8T Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 150V 3A 8-SOP تحقيق
IXTX17N120L Image IXTX17N120L IXYS MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247 تحقيق
IRFHM8334TRPBF Image IRFHM8334TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN تحقيق
IXTX120N65X2 Image IXTX120N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247 تحقيق
IXTX102N65X2 Image IXTX102N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247 تحقيق
BUK762R0-40E,118 Image BUK762R0-40E,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK تحقيق
IXTX120P20T Image IXTX120P20T IXYS MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247 تحقيق
2N7002 Image 2N7002 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT-23-3 تحقيق
ZVN0545GTA Image ZVN0545GTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 450V 140MA SOT223 تحقيق
BSS192,115 Image BSS192,115 Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89 تحقيق
IRF1405SPBF Image IRF1405SPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK تحقيق

Latest الأخبار