يشترى IXTX170P10P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTX170P10P
- رقم القطعة:
- IXTX170P10P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16591 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTX170P10P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTX170P10P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTX170P10P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS247™-3 |
| سلسلة: | PolarP™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 12 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 890W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTX170P10P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 12600pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 240nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 100V 170A (Tc) 890W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 170A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTX170P10P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI1402DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363 | تحقيق |
 |
2SK2803 | Sanken | MOSFET N-CH 450V TO-220F | تحقيق |
 |
IXTX110N20L2 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247 | تحقيق |
 |
FQP47P06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 47A TO-220 | تحقيق |
 |
BUK7628-55A,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 42A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTK180N15 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 | تحقيق |
 |
IXTX1R4N450HV | IXYS | 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR | تحقيق |
 |
TK14C65W,S1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK | تحقيق |
 |
HUF75831SK8T | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 3A 8-SOP | تحقيق |
|
IXTX17N120L | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247 | تحقيق |
 |
IRFHM8334TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN | تحقيق |
|
IXTX120N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247 | تحقيق |
|
IXTX102N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247 | تحقيق |
|
BUK762R0-40E,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | تحقيق |
|
IXTX120P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247 | تحقيق |
 |
2N7002 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT-23-3 | تحقيق |
 |
ZVN0545GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 450V 140MA SOT223 | تحقيق |
 |
BSS192,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89 | تحقيق |
 |
IRF1405SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers