العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTX1R4N450HV
IXTX1R4N450HV
IXTX1R4N450HV
رقم القطعة:
IXTX1R4N450HV
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
خالية من الرصاص عن طريق الإعفاء / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15856 Pieces
ورقة البيانات:
IXTX1R4N450HV.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTX1R4N450HV ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTX1R4N450HV عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTX1R4N450HV مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:6V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247HV
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:40 Ohm @ 50mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):960W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3 Variant
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:14 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTX1R4N450HV
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3300pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:88nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 4500V (4.5kV) 1.4A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-247HV
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):4500V (4.5kV)
وصف:2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1.4A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTX1R4N450HV

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
SPA07N65C3XKSA1 Image SPA07N65C3XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220 تحقيق
MMDFS6N303R2 ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC تحقيق
IXTX170P10P Image IXTX170P10P IXYS MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247 تحقيق
IRFZ30PBF Image IRFZ30PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB تحقيق
STI45N10F7 Image STI45N10F7 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 45A I2PAK تحقيق
DMTH6016LPS-13 Image DMTH6016LPS-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI تحقيق
STP5NK65ZFP Image STP5NK65ZFP STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220FP تحقيق
IXTX120N65X2 Image IXTX120N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247 تحقيق
IXTX102N65X2 Image IXTX102N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247 تحقيق
IRFR010TRPBF Image IRFR010TRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK تحقيق
IPI65R310CFDXKSA1 Image IPI65R310CFDXKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262 تحقيق
IXTX120P20T Image IXTX120P20T IXYS MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247 تحقيق
IPB107N20N3 G Image IPB107N20N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3 تحقيق
STP80N70F6 Image STP80N70F6 STMicroelectronics MOSFET N CH 68V 96A TO-220 تحقيق
IXTX17N120L Image IXTX17N120L IXYS MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247 تحقيق
IRF8306MTR1PBF Image IRF8306MTR1PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET تحقيق
FQI13N50CTU Image FQI13N50CTU Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK تحقيق
IXTP62N15P Image IXTP62N15P IXYS MOSFET N-CH 150V 62A TO-220 تحقيق
IXTX110N20L2 Image IXTX110N20L2 IXYS MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247 تحقيق
DMT3004LFG-13 Diodes Incorporated MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI تحقيق

Latest الأخبار