يشترى IXTX17N120L مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTX17N120L
- رقم القطعة:
- IXTX17N120L
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16866 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTX17N120L.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTX17N120L ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTX17N120L عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS247™-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 900 mOhm @ 8.5A, 20V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 700W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTX17N120L |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 8300pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 155nC @ 15V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1200V (1.2kV) 17A (Tc) 700W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 17A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTX17N120L
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
TPN2R304PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 80A TSON | تحقيق |
 |
BSS138BK,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V TO-236AB | تحقيق |
 |
SI4487DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IXTX110N20L2 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247 | تحقيق |
|
IXTX170P10P | IXYS | MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247 | تحقيق |
|
IXTX120P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247 | تحقيق |
 |
SPP80N06S2L-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | تحقيق |
 |
IPI80N06S4L07AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 | تحقيق |
|
BSH202,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23 | تحقيق |
 |
IXTX1R4N450HV | IXYS | 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR | تحقيق |
 |
IRLR3410TRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK | تحقيق |
 |
IRF9Z34SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK | تحقيق |
|
IXTX102N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247 | تحقيق |
 |
NTMFS4826NET3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL | تحقيق |
 |
VP2206N2 | Microchip Technology | MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39 | تحقيق |
 |
IPD50N10S3L16ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3 | تحقيق |
 |
FDZ193P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP | تحقيق |
 |
RTR030N05TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 | تحقيق |
|
IXTX120N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers