العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTY26P10T
IXTY26P10T
رقم القطعة:
IXTY26P10T
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET P-CH 100V 26A TO-252
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16745 Pieces
ورقة البيانات:
IXTY26P10T.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTY26P10T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTY26P10T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTY26P10T مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-252
سلسلة:TrenchP™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:90 mOhm @ 13A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):150W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTY26P10T
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3820pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:52nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 100V 26A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET P-CH 100V 26A TO-252
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:26A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTY26P10T

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
SIHF15N60E-E3 Image SIHF15N60E-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP تحقيق
IXTY2R4N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK تحقيق
SPD25N06S2-40 Image SPD25N06S2-40 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 29A DPAK تحقيق
IPP03N03LA Image IPP03N03LA Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB تحقيق
2SK3484-AZ Image 2SK3484-AZ Renesas Electronics America MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 تحقيق
IXTY24N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 24A TO-252 تحقيق
APT14F100B Image APT14F100B Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 تحقيق
SIR403EDP-T1-GE3 Image SIR403EDP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO تحقيق
IXTY2N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252 تحقيق
IXTY2N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK تحقيق
IXTY2N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA تحقيق
STH400N4F6-2 Image STH400N4F6-2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 تحقيق
ZVN2120GTC Image ZVN2120GTC Diodes Incorporated MOSFET N-CH 200V 0.32A SOT223 تحقيق
BUK9610-100B,118 Image BUK9610-100B,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK تحقيق
TPC8125,LQ(S Image TPC8125,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP تحقيق
SPP02N60S5HKSA1 Image SPP02N60S5HKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220 تحقيق
FQB9N50CTM Image FQB9N50CTM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK تحقيق
FQD7N20TM Image FQD7N20TM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK تحقيق
IXTY2N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252 تحقيق
STP18NM60N Image STP18NM60N STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 13A TO-220 تحقيق

Latest الأخبار