يشترى IXTY2N60P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTY2N60P
- رقم القطعة:
- IXTY2N60P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17104 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTY2N60P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTY2N60P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTY2N60P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-252, (D-Pak) |
| سلسلة: | Polar™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 5.1 Ohm @ 1A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 55W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTY2N60P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 240pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 7nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 2A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTY2N60P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PSMN017-80BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK | تحقيق |
 |
IRFSL38N20DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 43A TO-262-3 | تحقيق |
 |
SI1051X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 | تحقيق |
 |
AO4454L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 8SOIC | تحقيق |
 |
STF2HNK60Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 2A TO-220FP | تحقيق |
 |
IXTY2N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA | تحقيق |
|
IXTY24N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 24A TO-252 | تحقيق |
 |
IRF640SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK | تحقيق |
 |
JANTX2N7227 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH | تحقيق |
|
IXTY2N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252 | تحقيق |
 |
IRL540NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB | تحقيق |
|
IXFV20N80PS | IXYS | MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220SMD | تحقيق |
 |
SI7806ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 | تحقيق |
 |
DMNH4006SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 20A TO252 | تحقيق |
|
IXTY2R4N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK | تحقيق |
 |
FQU5N50CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 4A IPAK | تحقيق |
 |
SI3440DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP | تحقيق |
|
IXTY26P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 26A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY2N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog