يشترى IXTY2N80P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTY2N80P
- رقم القطعة:
- IXTY2N80P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12366 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTY2N80P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTY2N80P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTY2N80P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.5V @ 50µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-252, (D-Pak) |
| سلسلة: | PolarHV™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6 Ohm @ 1A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 70W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTY2N80P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 440pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 10.6nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 800V 2A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 800V |
| وصف: | MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTY2N80P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
VN2222LLRLRA | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92 | تحقيق |
 |
IXTY2N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK | تحقيق |
|
IXTY26P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 26A TO-252 | تحقيق |
 |
IXFH75N10Q | IXYS | MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD | تحقيق |
 |
SI3456BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP | تحقيق |
 |
IXFK52N30Q | IXYS | MOSFET N-CH 300V 52A TO-264AA | تحقيق |
 |
FCH023N65S3_F155 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 75A TO247 | تحقيق |
 |
RSS120N03TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IPB04N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | تحقيق |
|
IXTY2N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY2N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252 | تحقيق |
 |
FQB30N06LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK | تحقيق |
 |
BUK951R6-30E,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB | تحقيق |
|
IXTY24N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 24A TO-252 | تحقيق |
 |
IRF6811STRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET | تحقيق |
 |
ZXMN10B08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6 | تحقيق |
 |
IRFIZ48N | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP | تحقيق |
 |
IPP06CNE8N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 85V 100A TO-220 | تحقيق |
|
IXTY2R4N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK | تحقيق |
 |
PMV160UP,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 1.2A TO-236AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers