يشترى LND150K1-G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
LND150K1-G
- رقم القطعة:
- LND150K1-G
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14326 Pieces
- ورقة البيانات:
- LND150K1-G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل LND150K1-G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك LND150K1-G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1000 Ohm @ 500µA, 0V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 360mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | LND150K1-G-ND LND150K1-GTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | LND150K1-G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 10pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Depletion Mode |
| وصف موسع: | N-Channel 500V 13mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف: | MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 13mA (Tj) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLND150K1-G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
LND150N3-G-P013 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | تحقيق |
|
LND150N3-G-P002 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | تحقيق |
|
LND150N3-G-P014 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | تحقيق |
 |
GP2M005A050PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK | تحقيق |
|
LND150N3-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | تحقيق |
 |
IRFR3704TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 75A DPAK | تحقيق |
 |
APT56M50B2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX | تحقيق |
 |
IXFC24N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
PSMN7R5-60YLX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V LFPAK56 | تحقيق |
 |
EPC2032ENGR | EPC | TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
IPP80N06S2LH5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | تحقيق |
|
LND150N3-G-P003 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | تحقيق |
 |
IRFB3077GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB | تحقيق |
 |
LND150N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog