يشترى LND150N3-G-P013 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
LND150N3-G-P013
- رقم القطعة:
- LND150N3-G-P013
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14414 Pieces
- ورقة البيانات:
- LND150N3-G-P013.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل LND150N3-G-P013 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك LND150N3-G-P013 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-92-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1000 Ohm @ 500µA, 0V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 740mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | LND150N3-G-P013 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 10pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Depletion Mode |
| وصف موسع: | N-Channel 500V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف: | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 30mA (Tj) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLND150N3-G-P013
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
LND150N3-G-P014 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | تحقيق |
|
LND150N3-G-P002 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | تحقيق |
|
LND150N3-G-P003 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | تحقيق |
|
LND150N3-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | تحقيق |
 |
LND150N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3 | تحقيق |
 |
LND150K1-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 | تحقيق |
 |
NDS355AN | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3 | تحقيق |
 |
ZXMN2B03E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6 | تحقيق |
 |
IRF3709ZCL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 87A TO-262 | تحقيق |
 |
R6012ANX | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog