NDD03N60Z-1G
NDD03N60Z-1G
رقم القطعة:
NDD03N60Z-1G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 600V IPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13167 Pieces
ورقة البيانات:
NDD03N60Z-1G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NDD03N60Z-1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NDD03N60Z-1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NDD03N60Z-1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 50µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:I-Pak
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):61W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
اسماء اخرى:NDD03N60Z-1G-ND
NDD03N60Z-1GOS
NDD03N60Z1G
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:NDD03N60Z-1G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:312pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:12nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 2.6A (Tc) 61W (Tc) Through Hole I-Pak
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V IPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:2.6A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات