NDD03N40Z-1G
NDD03N40Z-1G
رقم القطعة:
NDD03N40Z-1G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13699 Pieces
ورقة البيانات:
NDD03N40Z-1G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NDD03N40Z-1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NDD03N40Z-1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NDD03N40Z-1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 50µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:IPAK (TO-251)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:3.4 Ohm @ 600mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):37W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):3 (168 Hours)
الصانع المهلة القياسية:4 Weeks
الصانع الجزء رقم:NDD03N40Z-1G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:140pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:6.6nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 400V 2.1A (Tc) 37W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):400V
وصف:MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:2.1A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات