العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > NTD2955-1G
NTD2955-1G
NTD2955-1G
رقم القطعة:
NTD2955-1G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14546 Pieces
ورقة البيانات:
NTD2955-1G.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTD2955-1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTD2955-1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NTD2955-1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:I-Pak
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:180 mOhm @ 6A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):55W (Tj)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
اسماء اخرى:NTD2955-1G-ND
NTD2955-1GOS
NTD29551G
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:21 Weeks
الصانع الجزء رقم:NTD2955-1G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:750pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:30nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 60V 12A (Ta) 55W (Tj) Through Hole I-Pak
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):60V
وصف:MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لNTD2955-1G

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
RFD14N05LSM9A Image RFD14N05LSM9A Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA تحقيق
NTD2955T4G Image NTD2955T4G ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 12A DPAK تحقيق
NTD2955PT4G Image NTD2955PT4G ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 12A DPAK تحقيق
NTD2955G Image NTD2955G ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 12A DPAK تحقيق
FQA13N80 Image FQA13N80 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P تحقيق
STB170NF04 Image STB170NF04 STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK تحقيق
IRFS7534TRLPBF Image IRFS7534TRLPBF Infineon Technologies MOSFET N CH 60V 195A D2PAK تحقيق
IRFB3507PBF Image IRFB3507PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 97A TO-220AB تحقيق
IXFH50N50P3 Image IXFH50N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 تحقيق
AOW290 Image AOW290 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET NCH 100V 140A TO262 تحقيق
SQ2361AEES-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23 تحقيق
MCH6337-TL-W ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 تحقيق
2N6760 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 400V TO-3 تحقيق
TPH2R306NH,L1Q Image TPH2R306NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV تحقيق

Latest الأخبار