يشترى NTD2955G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTD2955G
- رقم القطعة:
- NTD2955G
- وصف:
- MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19391 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTD2955G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTD2955G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTD2955G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | DPAK |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 180 mOhm @ 6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 55W (Tj) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | NTD2955G-ND NTD2955GOS |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NTD2955G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 750pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 30nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 60V 12A (Ta) 55W (Tj) Surface Mount DPAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTD2955G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STS9P2UH7 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRFB7534PBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB | تحقيق |
 |
NTD2955-1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 12A IPAK | تحقيق |
 |
IXFH60N25Q | IXYS | MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AD | تحقيق |
 |
BSS606NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89 | تحقيق |
 |
NTD2955PT4G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | تحقيق |
 |
SI1022R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A | تحقيق |
 |
IRFR13N15DTR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK | تحقيق |
|
NTD2955T4G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | تحقيق |
 |
IRFL014 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | تحقيق |
 |
NTP8G206NG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 17A TO220 | تحقيق |
|
NTP65N02RG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB | تحقيق |
 |
DN2535N3-G-P003 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3 | تحقيق |
 |
HUF75339P3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog