يشترى NTD2955PT4G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTD2955PT4G
- رقم القطعة:
- NTD2955PT4G
- وصف:
- MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15972 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTD2955PT4G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTD2955PT4G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTD2955PT4G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | DPAK-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 180 mOhm @ 6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 55W (Tj) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | NTD2955PT4G-ND NTD2955PT4GOSTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NTD2955PT4G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 750pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 30nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 60V 12A (Ta) 55W (Tj) Surface Mount DPAK-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTD2955PT4G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MCH6342-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 4.5A MCPH6 | تحقيق |
 |
BSS126 H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23 | تحقيق |
 |
AOTF240L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 40V 20A TO220F | تحقيق |
 |
FQD6P25TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK | تحقيق |
 |
NTD2955T4G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | تحقيق |
 |
FDS4435BZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SQD50P04-09L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 50A | تحقيق |
 |
ZVP1320ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 200V 0.07A TO92-3 | تحقيق |
|
NTD2955G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | تحقيق |
 |
NTD2955-1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 12A IPAK | تحقيق |
 |
RF4E070BNTR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML | تحقيق |
 |
IXTP180N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 180A TO-220 | تحقيق |
 |
SI7613DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK | تحقيق |
|
AUIRFR48Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog