يشترى NTP45N06G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTP45N06G
- رقم القطعة:
- NTP45N06G
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12030 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTP45N06G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTP45N06G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTP45N06G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 26 mOhm @ 22.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.4W (Ta), 125W (Tj) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | NTP45N06GOS |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NTP45N06G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1725pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 46nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 45A (Ta) 2.4W (Ta), 125W (Tj) Through Hole TO-220AB |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 45A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTP45N06G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NTP45N06L | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB | تحقيق |
 |
IPB160N04S4LH1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | تحقيق |
 |
IPB77N06S212ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3 | تحقيق |
|
NTP45N06 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB | تحقيق |
 |
BUK9840-55,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 | تحقيق |
 |
IRFR3706CPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 75A DPAK | تحقيق |
|
NTP45N06LG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB | تحقيق |
|
IRL2203NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK | تحقيق |
 |
STW8NK80Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-247 | تحقيق |
 |
STU6N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK | تحقيق |
 |
MTW32N20EG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 32A TO247 | تحقيق |
 |
DMN3010LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI | تحقيق |
 |
PMN27XPEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V SC-74 | تحقيق |
 |
IRFHM4234TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 20A PQFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog