NTRV4101PT1G
NTRV4101PT1G
رقم القطعة:
NTRV4101PT1G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19452 Pieces
ورقة البيانات:
NTRV4101PT1G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTRV4101PT1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTRV4101PT1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NTRV4101PT1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.2V @ 250µA
فغس (ماكس):±8V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-23-3 (TO-236)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:85 mOhm @ 1.6A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):420mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
اسماء اخرى:NTRV4101PT1G-ND
NTRV4101PT1GOSTR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:20 Weeks
الصانع الجزء رقم:NTRV4101PT1G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:675pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:8.5nC @ 4.5V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 20V 1.8A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):1.8V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1.8A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات