يشترى NVJD5121NT1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NVJD5121NT1G
- رقم القطعة:
- NVJD5121NT1G
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17399 Pieces
- ورقة البيانات:
- NVJD5121NT1G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NVJD5121NT1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NVJD5121NT1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
| السلطة - ماكس: | 250mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | NVJD5121NT1G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 26pF @ 20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.9nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 295mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNVJD5121NT1G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
VWM350-0075P | IXYS | MOSFET 6N-CH 75V 340A V2 | تحقيق |
 |
SI5904DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 | تحقيق |
 |
SI4936CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC | تحقيق |
|
SI1988DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6 | تحقيق |
 |
AUIRF7313QTR | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC | تحقيق |
|
SQJ974EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 100V SO8 | تحقيق |
 |
SP8M70TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC | تحقيق |
 |
BUK7K89-100EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 100V 13A LFPAK56 | تحقيق |
|
SI4953ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC | تحقيق |
|
SI4931DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC | تحقيق |
 |
SI5999EDU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog