يشترى PTF180101M V1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PTF180101M V1
- رقم القطعة:
- PTF180101M V1
- وصف:
- IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14056 Pieces
- ورقة البيانات:
- PTF180101M V1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PTF180101M V1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PTF180101M V1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-RFP-10 |
| سلسلة: | GOLDMOS® |
| مخرج قوي: | 10W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| اسماء اخرى: | PTF180101MV1XT SP000076951 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | PTF180101M V1 |
| ربح: | 16.5dB |
| تردد: | 1.99GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 180mA 1.99GHz 16.5dB 10W PG-RFP-10 |
| وصف: | IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 |
| التصويت الحالي: | 1µA |
| الحالي - اختبار: | 180mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPTF180101M V1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PD55008 | STMicroelectronics | FET RF 40V 500MHZ POWERFLAT | تحقيق |
 |
PTF180101S V1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2 | تحقيق |
 |
VRF141G | Microsemi Corporation | RF PWR MOSFET 80V 40A DIE | تحقيق |
 |
ARF449BG | Microsemi Corporation | RF PWR MOSFET 450V TO-247 | تحقيق |
 |
BLF647PSJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | تحقيق |
 |
MRF6S19100MBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4 | تحقيق |
 |
2SK3079ATE12LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSF RF N CH 10V PW-X | تحقيق |
 |
BF511,215 | NXP USA Inc. | JFET N-CH 20V 30MA SOT23 | تحقيق |
 |
BLP10H603Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
 |
BF245A | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 6.5MA TO92 | تحقيق |
 |
MAGX-000912-500L00 | M/A-Com Technology Solutions | FETS RF GAN 500W 960-1215MHZ | تحقيق |
 |
NE3520S03-A | CEL | FET RF 4V 20GHZ S03 | تحقيق |
 |
MRF8P20160HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.92GHZ | تحقيق |
 |
MRF160 | M/A-Com Technology Solutions | FET RF 65V 500MHZ 249-06 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog