يشترى PTF180101S V1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PTF180101S V1
- رقم القطعة:
- PTF180101S V1
- وصف:
- FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16624 Pieces
- ورقة البيانات:
- PTF180101S V1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PTF180101S V1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PTF180101S V1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | H-32259-2 |
| سلسلة: | GOLDMOS® |
| مخرج قوي: | 10W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | H32259-2 |
| اسماء اخرى: | F180101SV1XT PTF180101SV1XT SP000009989 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | PTF180101S V1 |
| ربح: | 19dB |
| تردد: | 1.99GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 180mA 1.99GHz 19dB 10W H-32259-2 |
| وصف: | FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2 |
| التصويت الحالي: | 1µA |
| الحالي - اختبار: | 180mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPTF180101S V1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF7S21110HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 | تحقيق |
 |
PTF180101M V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 | تحقيق |
 |
CGH80030D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 28V DIE | تحقيق |
 |
BLF6G27LS-50BN,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B | تحقيق |
 |
BLF8G10L-160,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A | تحقيق |
 |
BLF8G09LS-400PWU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B | تحقيق |
 |
MRF6V2300NBR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 | تحقيق |
 |
PXAC241702FCV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
 |
IXZR08N120A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
 |
PTFA092211FLV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | تحقيق |
 |
CE3512K2-C1 | CEL | RF FET 4V 12GHZ 4MICROX | تحقيق |
 |
BF998,215 | NXP USA Inc. | MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143B | تحقيق |
 |
MRF275L | M/A-Com Technology Solutions | FET RF 65V 500MHZ 333-04 | تحقيق |
 |
MRF8HP21130HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780S-4 | تحقيق |
|
MRF281ZR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI-200Z | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog