SI1905DL-T1-E3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف SI1905DL-T1-E3

SI1905DL-T1-E3

رقم القطعة:: SI1905DL-T1-E3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 16325 Pieces

ورقة البيانات:: SI1905DL-T1-E3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI1905DL-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI1905DL-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SI1905DL-T1-E3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	450mV @ 250µA (Min)
تجار الأجهزة حزمة:	SC-70-6 (SOT-363)
سلسلة:	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	600 mOhm @ 570mA, 4.5V
السلطة - ماكس:	270mW
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
اسماء اخرى:	SI1905DL-T1-E3TR SI1905DLT1E3
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	SI1905DL-T1-E3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	2.3nC @ 4.5V
نوع FET:	2 P-Channel (Dual)
FET الميزة:	Logic Level Gate
وصف موسع:	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 570mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	8V
وصف:	MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	570mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSI1905DL-T1-E3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
SI1903DL-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6	تحقيق
DMN2050LFDB-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN	تحقيق
SI9936DY,518	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1	تحقيق
SI3951DV-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP	تحقيق
SI1903DL-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6	تحقيق
CSD85312Q3E	Texas Instruments	MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON	تحقيق
FDS9945	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SO	تحقيق
SI1900DL-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6	تحقيق
SI1905BDH-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6	تحقيق
SI7964DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8	تحقيق
SI6544BDQ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP	تحقيق
SI1902DL-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6	تحقيق
SI1902CDL-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6	تحقيق
SI1902DL-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6	تحقيق
SQJQ900E-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8	تحقيق
SI4388DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC	تحقيق
EM6K31GT2R	Rohm Semiconductor	MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار