العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFN62N80Q3
IXFN62N80Q3
IXFN62N80Q3
رقم القطعة:
IXFN62N80Q3
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13099 Pieces
ورقة البيانات:
IXFN62N80Q3.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFN62N80Q3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFN62N80Q3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFN62N80Q3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:6.5V @ 8mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227B
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:140 mOhm @ 31A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):960W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:20 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFN62N80Q3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:13600pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:270nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 800V 49A 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):800V
وصف:MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:49A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFN62N80Q3

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IRFB4610PBF Image IRFB4610PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB تحقيق
FQP17N08L Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 80V 16.5A TO-220 تحقيق
5HP01C-TB-H ON Semiconductor MOSFET P-CH 50V 70MA SMD تحقيق
IXFN64N60P Image IXFN64N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 تحقيق
GP1M016A060FH Image GP1M016A060FH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 600V 16A TO220F تحقيق
DMN4040SK3-13 Image DMN4040SK3-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3 تحقيق
IXFN60N80P Image IXFN60N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B تحقيق
IRFU024PBF Image IRFU024PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK تحقيق
IXFN64N50P Image IXFN64N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227 تحقيق
IXFN64N50PD3 Image IXFN64N50PD3 IXYS MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B تحقيق
SIHH21N60EF-T1-GE3 Image SIHH21N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK تحقيق
FDMA7670 Image FDMA7670 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 6-MLP 2X2 تحقيق
IXFN64N50PD2 Image IXFN64N50PD2 IXYS MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B تحقيق
STSJ60NH3LL STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 15A 8-PWRSOIC تحقيق
FQH70N10 Image FQH70N10 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 70A TO-247 تحقيق
IRF7607TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8 تحقيق
IXFN66N50Q2 Image IXFN66N50Q2 IXYS MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B تحقيق
IXFN66N85X Image IXFN66N85X IXYS 850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS تحقيق
FDD7N60NZTM Image FDD7N60NZTM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3 تحقيق
IXFN60N60 Image IXFN60N60 IXYS MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B تحقيق

Latest الأخبار