SI6562CDQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف SI6562CDQ-T1-GE3

SI6562CDQ-T1-GE3

رقم القطعة:: SI6562CDQ-T1-GE3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 19915 Pieces

ورقة البيانات:: SI6562CDQ-T1-GE3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI6562CDQ-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI6562CDQ-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SI6562CDQ-T1-GE3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	1.5V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:	8-TSSOP
سلسلة:	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	22 mOhm @ 5.7A, 4.5V
السلطة - ماكس:	1.6W, 1.7W
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
اسماء اخرى:	SI6562CDQ-T1-GE3TR SI6562CDQT1GE3
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	24 Weeks
الصانع الجزء رقم:	SI6562CDQ-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	850pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	23nC @ 10V
نوع FET:	N and P-Channel
FET الميزة:	Logic Level Gate
وصف موسع:	Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	20V
وصف:	MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	6.7A, 6.1A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSI6562CDQ-T1-GE3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
SI6562DQ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP	تحقيق
SI6562DQ-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP	تحقيق
NTUD3174NZT5G	ON Semiconductor	MOSFET ARRAY 2NCH 20V SOT963	تحقيق
APTM20HM08FG	Microsemi Corporation	MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6	تحقيق
IPG20N06S3L-23	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8	تحقيق
DMN2041UFDB-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN	تحقيق
TPCL4203(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 4CHIPLGA	تحقيق
DMC2990UDJ-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 20V SOT963	تحقيق
DMN63D1LDW-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363	تحقيق
IRF8915	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC	تحقيق
LN100LA-G	Microchip Technology	MOSFET 2N-CH 1200V	تحقيق
APTM100H18FG	Microsemi Corporation	MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6	تحقيق
STC5NF20V	STMicroelectronics	MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP	تحقيق
DMC2450UV-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 20V SOT563	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار