يشترى SI6562DQ-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 600mV @ 250µA (Min) |
---|---|
تجار الأجهزة حزمة: | 8-TSSOP |
سلسلة: | TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
السلطة - ماكس: | 1W |
التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
حزمة / كيس: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
اسماء اخرى: | SI6562DQ-T1-E3DKR |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع الجزء رقم: | SI6562DQ-T1-E3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 25nC @ 4.5V |
نوع FET: | N and P-Channel |
FET الميزة: | Logic Level Gate |
وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 1W Surface Mount 8-TSSOP |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
وصف: | MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | - |
Email: | [email protected] |