يشترى SI7328DN-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI7328DN-T1-E3
- رقم القطعة:
- SI7328DN-T1-E3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18532 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI7328DN-T1-E3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI7328DN-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI7328DN-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® 1212-8 |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6.6 mOhm @ 18.9A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.78W (Ta), 52W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | PowerPAK® 1212-8 |
| درجة حرارة التشغيل: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SI7328DN-T1-E3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2610pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 31.5nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 35A (Tc) 3.78W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI7328DN-T1-E3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI7328DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 | تحقيق |
 |
IRF6893MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 29A MX | تحقيق |
 |
PSMN3R4-30BL,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | تحقيق |
 |
PSMN3R5-30LL,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V QFN3333 | تحقيق |
 |
AUIRF7207Q | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC | تحقيق |
|
SI7322DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8 | تحقيق |
 |
NDD03N40Z-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4 | تحقيق |
|
SI7326DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8 | تحقيق |
 |
IXFQ23N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3) | تحقيق |
 |
IXTP08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220 | تحقيق |
 |
SIR606DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 37A SO8 | تحقيق |
|
SI7326DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8 | تحقيق |
 |
FDMS037N08B | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 100A 8QFN | تحقيق |
 |
NTA7002NT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 0.154A SOT-416 | تحقيق |
 |
IRL3103STRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTQ62N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 62A TO-3P | تحقيق |
|
IRF7452 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC | تحقيق |
|
SI7322DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog