يشترى IXFQ23N60Q مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFQ23N60Q
- رقم القطعة:
- IXFQ23N60Q
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19807 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFQ23N60Q.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFQ23N60Q ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFQ23N60Q عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | - |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXFQ23N60Q |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 23A (Tc) Surface Mount TO-268 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 23A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFQ23N60Q
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFQ21N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P | تحقيق |
|
IXFQ20N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P | تحقيق |
 |
IRLIZ44GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP | تحقيق |
 |
AUIRF7207QTR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC | تحقيق |
|
IXFQ22N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A TO3P | تحقيق |
|
IXFQ24N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P | تحقيق |
|
IXFQ26N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P | تحقيق |
|
IXFQ26N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-30 | تحقيق |
 |
DMT3006LDK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308 | تحقيق |
|
IXFQ24N50P2 | IXYS | 500V POLAR2 HIPERFETS | تحقيق |
 |
BSS139 E6906 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 | تحقيق |
 |
PHB174NQ04LT,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
IPD096N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 73A | تحقيق |
 |
BSZ088N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | تحقيق |
 |
NTMFS4839NHT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL | تحقيق |
 |
C3M0120090D | Cree/Wolfspeed | 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET | تحقيق |
|
IPD031N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | تحقيق |
|
IXFQ28N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 28A TO3P | تحقيق |
|
IXFQ26N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P | تحقيق |
|
IXFQ24N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 24A TO-3P | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog