يشترى SI7742DP-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.7V @ 250µA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® SO-8 |
سلسلة: | SkyFET®, TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3.5 mOhm @ 20A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | PowerPAK® SO-8 |
اسماء اخرى: | SI7742DP-T1-GE3TR SI7742DPT1GE3 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | SI7742DP-T1-GE3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 5300pF @ 15V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 115nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 30V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
وصف: | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |