يشترى SI8808DB-T2-E1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 900mV @ 250µA |
---|---|
فغس (ماكس): | ±8V |
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | 4-Microfoot |
سلسلة: | TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 95 mOhm @ 1A, 4.5V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 500mW (Ta) |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | 4-UFBGA |
اسماء اخرى: | SI8808DB-T2-E1TR SI8808DBT2E1 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | SI8808DB-T2-E1 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 330pF @ 15V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 10nC @ 8V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 30V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.5V, 4.5V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
وصف: | MOSFET N-CH 30V MICROFOOT |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | - |
Email: | [email protected] |