يشترى SIE836DF-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SIE836DF-T1-E3
- رقم القطعة:
- SIE836DF-T1-E3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12740 Pieces
- ورقة البيانات:
- SIE836DF-T1-E3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIE836DF-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIE836DF-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 10-PolarPAK® (SH) |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 130 mOhm @ 4.1A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 10-PolarPAK® (SH) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SIE836DF-T1-E3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1200pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 41nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 18.3A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (SH) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 18.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIE836DF-T1-E3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | تحقيق |
 |
SIE836DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK | تحقيق |
 |
IXFN90N85X | IXYS | 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P | تحقيق |
 |
IXTA220N055T7 | IXYS | MOSFET N-CH 55V 220A TO-263-7 | تحقيق |
 |
IXFR30N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
SIE832DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK | تحقيق |
 |
SI7880ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
NTLUS4930NTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6.3A UDFN6 | تحقيق |
 |
IRF7402PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRFIBC40GLC | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP | تحقيق |
 |
IRF9510L | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 4A TO-262 | تحقيق |
|
SIE830DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK | تحقيق |
|
IPB60R600C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263 | تحقيق |
 |
AOT9N70 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 700V 9A TO220 | تحقيق |
|
SIE830DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK | تحقيق |
 |
STI270N4F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK | تحقيق |
 |
SI9435BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC | تحقيق |
|
SIE832DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog