SIE830DF-T1-GE3
SIE830DF-T1-GE3
رقم القطعة:
SIE830DF-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15686 Pieces
ورقة البيانات:
SIE830DF-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIE830DF-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIE830DF-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SIE830DF-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:10-PolarPAK® (S)
سلسلة:WFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:4.2 mOhm @ 16A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):5.2W (Ta), 104W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:10-PolarPAK® (S)
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SIE830DF-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:5500pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:115nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات