يشترى SIHF22N60E-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
---|---|
فغس (ماكس): | ±30V |
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
سلسلة: | E |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 180 mOhm @ 11A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 35W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
حزمة / كيس: | TO-220-3 Full Pack |
اسماء اخرى: | SIHF22N60E-GE3DKR |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Through Hole |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 19 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | SIHF22N60E-GE3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1920pF @ 100V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 86nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 600V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
وصف: | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 21A (Tc) |
Email: | [email protected] |