يشترى IXFL38N100P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFL38N100P
- رقم القطعة:
- IXFL38N100P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16452 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFL38N100P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFL38N100P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFL38N100P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 6.5V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOPLUSi5-Pak™ |
| سلسلة: | HiPerFET™, PolarP2™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 230 mOhm @ 19A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 520W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | ISOPLUSi5-Pak™ |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFL38N100P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 24000pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 350nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1000V (1kV) 29A (Tc) 520W (Tc) Through Hole ISOPLUSi5-Pak™ |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1000V (1kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 29A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFL38N100P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI5404BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8 | تحقيق |
 |
IRFU1018EPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 56A I-PAK | تحقيق |
 |
IXFL38N100Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264 | تحقيق |
 |
FDB0165N807L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 310A TO263 | تحقيق |
 |
PHP96NQ03LT,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 75A TO220AB | تحقيق |
 |
ECH8410-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A ECH8 | تحقيق |
 |
IXFV30N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220 | تحقيق |
 |
2N7002P,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 0.36A SOT-23 | تحقيق |
 |
AO4459L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 6.5A 8SOIC | تحقيق |
 |
IRFZ48NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 64A TO-262 | تحقيق |
 |
IXFL34N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264 | تحقيق |
|
IXFL39N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 | تحقيق |
 |
DMP3068L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23 | تحقيق |
 |
IXFL32N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK | تحقيق |
|
IXFL30N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK | تحقيق |
 |
APTM20DAM10TG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 175A SP4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog