يشترى STB12NM50T4 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STB12NM50T4
- رقم القطعة:
- STB12NM50T4
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16474 Pieces
- ورقة البيانات:
- STB12NM50T4.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STB12NM50T4 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STB12NM50T4 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 50µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | MDmesh™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 350 mOhm @ 6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 160W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | 497-5381-2 STB12NM50T4-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | STB12NM50T4 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1000pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 39nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 550V 12A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 550V |
| وصف: | MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTB12NM50T4
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FQH8N100C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 | تحقيق |
 |
STB12NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | تحقيق |
 |
STB12NM50ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | تحقيق |
 |
STB12NM60N-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK | تحقيق |
|
STB12NM50FDT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK | تحقيق |
 |
STB120N4F6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | تحقيق |
|
STB12NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK | تحقيق |
|
STB120N10F4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V D2PAK | تحقيق |
 |
GP1M006A070F | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 700V 5A TO220F | تحقيق |
|
STB120NF10T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK | تحقيق |
 |
SPP04N50C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-220AB | تحقيق |
|
STB12NK80ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK | تحقيق |
 |
TN0620N3-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3 | تحقيق |
|
STB120N4LF6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog