يشترى STB12NM50ND مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STB12NM50ND
- رقم القطعة:
- STB12NM50ND
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18535 Pieces
- ورقة البيانات:
- STB12NM50ND.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STB12NM50ND ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STB12NM50ND عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±25V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | FDmesh™ II |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 380 mOhm @ 5.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 100W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | 497-10026-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | STB12NM50ND |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 850pF @ 50V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 30nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 500V 11A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف: | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTB12NM50ND
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STB12NM50FDT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK | تحقيق |
 |
IRF7466 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | تحقيق |
|
STB12NM50T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK | تحقيق |
 |
STB120N4F6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | تحقيق |
|
STB12NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | تحقيق |
 |
NTMS4935NR2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC | تحقيق |
 |
STB12NM60N-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK | تحقيق |
 |
IRFR2607Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 42A DPAK | تحقيق |
|
STB120NF10T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK | تحقيق |
|
STB12NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK | تحقيق |
|
STB12NK80ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK | تحقيق |
 |
STB120N4LF6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | تحقيق |
|
STB120N10F4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V D2PAK | تحقيق |
|
IPT111N20NFDATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog